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905nm脉冲大功率芯片
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VCSEL 850/940nm芯片
• 高速响应 • 高增益 • 底结电容 • 低噪声
• 高功率、高效率 • 耦合效率≥70% • 接口支持定制
• 金属/塑封 • 封装形式可选
• 纳米隧穿技术
• 高可靠性
• 金属封装 • 纳米隧穿技术 • 高可靠性
• 小发散角度
• 高功率、 • 小发散角
• 高可靠性
• 应变量子阱结构 • 三叠层级连结构 • 窄光束发散角
• 高光功率密度
• 操作便捷 • 测试精度高 • 耐高温
• 防击穿保护 • 脉宽可调
•
测试方便
•
性能正确
• 垂直腔面发射激光器技术VCSEL •高效率和高可靠性
• 波长稳定,窄线宽
• 环形远场光束, 对称
• 表面贴装
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